文献
J-GLOBAL ID:201602219330663464
整理番号:16A0525482
Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
Heteroepitaxial Growth of GaSb Films on Si(111)-√3x√3-Ga Surface Phase
著者 (3件):
下山浩哉
(富山大 工)
,
森雅之
(富山大 工)
,
前澤宏一
(富山大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
116
号:
50(SDM2016 18-31)
ページ:
51-54
発行年:
2016年05月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)