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文献
J-GLOBAL ID:201602221076548122   整理番号:16A0106114

二酸化炭素を用いた超臨界溶液(RESS)の急速成長によるシリコン上のアントラセン薄膜の結晶成長

Crystal Growth of Anthracene Thin Films on Silicon by Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Using Carbon Dioxide
著者 (2件):
FUJII Tatsuya
(Dep. of Chemistry and Material Engineering, Fac. of Engineering, Shinshu Univ.)
UCHIDA Hirohisa
(Dep. of Chemistry and Material Engineering, Fac. of Engineering, Shinshu Univ.)

資料名:
Journal of Chemical Engineering of Japan  (Journal of Chemical Engineering of Japan)

巻: 48  号:ページ: 787-794 (J-STAGE)  発行年: 2015年 
JST資料番号: S0629A  ISSN: 0021-9592  CODEN: JCEJAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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