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資料名：
巻： 108 号： 22 ページ： 222403-222403-4 発行年： 2016年05月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602226174251830
整理番号：16A0610140
高Cr組成の希薄磁性半導体Ge1-xCrxTeのエピタキシャル成長
Epitaxial growth of diluted magnetic semiconductor Ge1-xCrxTe with high Cr composition
Fukuma Y.
(Frontier Research Academy for Young Researchers, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan)
,
Asada H.
(Department of Electronic Devices Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube 755-8611, Japan)
,
Senba S.
(National College of Technology, Ube College, 2-14-1 Tokiwadai, Ube 755-8555, Japan)
,
Koyanagi T.
(Department of Electronic Devices Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube 755-8611, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 108 号： 22 ページ： 222403-222403-4 発行年： 2016年05月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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