文献
J-GLOBAL ID:201602232144255680
整理番号:16A1319732
ハイブリッドTFET MOSFET回路:プロセス変動の存在下における信頼性の高い超低電力回路を設計するためのアプローチ【Powered by NICT】
Hybrid TFET-MOSFET circuits: An approach to design reliable ultra-low power circuits in the presence of process variation
著者 (4件):
Hemmat Maede
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Iran)
,
Kamal Mehdi
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Iran)
,
Afzali-Kusha Ali
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Iran)
,
Pedram Massoud
(Department of Electrical Engineering, University of Southern California, United States of America)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
VLSI-SoC
ページ:
1-6
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)