文献
J-GLOBAL ID:201602236507573305
整理番号:16A1030332
核生成制御された液相結晶化を利用した透明基板上の高移動度GeSn p-MOSFET【Powered by NICT】
High-mobility GeSn p-MOSFETs on transparent substrate utilizing nucleation-controlled liquid-phase crystallization
著者 (5件):
Oka Hiroshi
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Amamoto Takashi
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Hosoi Takuji
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Shimura Takayoshi
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
,
Watanabe Heiji
(Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SNW
ページ:
128-129
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)