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文献
J-GLOBAL ID:201602236908812190   整理番号:16A1216931

不純物の外部/内部(燐)ゲッタリングに及ぼす多結晶Siの結晶粒界特性の影響

Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities
著者 (4件):
Joonwichien Supawan
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
Takahashi Isao
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
Kutsukake Kentaro
(Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan)
Usami Noritaka
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)

資料名:
Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)

巻: 24  号: 12  ページ: 1615-1625  発行年: 2016年12月 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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