文献
J-GLOBAL ID:201602236908812190
整理番号:16A1216931
不純物の外部/内部(燐)ゲッタリングに及ぼす多結晶Siの結晶粒界特性の影響
Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities
著者 (4件):
Joonwichien Supawan
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
,
Takahashi Isao
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
,
Kutsukake Kentaro
(Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan)
,
Usami Noritaka
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
資料名:
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻:
24
号:
12
ページ:
1615-1625
発行年:
2016年12月
JST資料番号:
W0463A
ISSN:
1062-7995
CODEN:
PPHOED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)