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著者 (8件)：
資料名：
巻： 613 ページ： 68-74 発行年： 2016年08月31日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602238428304824
整理番号：16A0994158
分子線エピタキシによるGe/Si(001)上に成長したGe1-xSnx層における歪緩和の構造的および光学的研究
Structural and optical studies of strain relaxation in Ge1-xSnx layers grown on Ge/Si(001) by molecular beam epitaxy
Nikolenko A.S.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Strelchuk V.V.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Safriuk N.V.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Kryvyi S.B.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Kladko V.P.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Oberemok O.S.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Borkovska L.V.
(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Nauky pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Sadofyev Yu.G.
(P.N. Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, 53 Leninskiy Prospekt, 119991 Moscow, Russia)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 613 ページ： 68-74 発行年： 2016年08月31日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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