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著者 (4件)：
資料名：
巻： 45 号： 3 ページ： 1377-1381 発行年： 2016年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602240795582676
整理番号：16A1001026
キャリア密度最適化によるa-InGaZnO薄膜の熱電特性の改善
Improvement of Thermoelectric Properties of a-InGaZnO Thin Film by Optimizing Carrier Concentration
Fujimoto Yuta
(Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Ikoma, Nara, Japan)
,
Uenuma Mutsunori
(Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Ikoma, Nara, Japan)
,
Ishikawa Yasuaki
(Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Ikoma, Nara, Japan)
,
Uraoka Yukiharu
(Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Ikoma, Nara, Japan)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 45 号： 3 ページ： 1377-1381 発行年： 2016年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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