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J-GLOBAL ID:201602240796599451   整理番号:16A1153217

二峰性欠陥中心挙動による40nm SiONと28nm H KMGにおけるリング発振器の物理RTNモデル化【Powered by NICT】

Physical-based RTN modeling of ring oscillators in 40-nm SiON and 28-nm HKMG by bimodal defect-centric behaviors
著者 (8件):
Oshima Azusa
(Kyoto Institute of Technology)
Komawaki Takuya
(Kyoto Institute of Technology)
Kobayashi Kazutoshi
(Kyoto Institute of Technology)
Kishida Ryo
(Kyoto Institute of Technology)
Weckx Pieter
(KU Leuven)
Kaczer Ben
(imec)
Matsumoto Takashi
(University of Tokyo)
Onodera Hidetoshi
(Kyoto University)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: SISPAD  ページ: 327-330  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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