文献
J-GLOBAL ID:201602240796599451
整理番号:16A1153217
二峰性欠陥中心挙動による40nm SiONと28nm H KMGにおけるリング発振器の物理RTNモデル化【Powered by NICT】
Physical-based RTN modeling of ring oscillators in 40-nm SiON and 28-nm HKMG by bimodal defect-centric behaviors
著者 (8件):
Oshima Azusa
(Kyoto Institute of Technology)
,
Komawaki Takuya
(Kyoto Institute of Technology)
,
Kobayashi Kazutoshi
(Kyoto Institute of Technology)
,
Kishida Ryo
(Kyoto Institute of Technology)
,
Weckx Pieter
(KU Leuven)
,
Kaczer Ben
(imec)
,
Matsumoto Takashi
(University of Tokyo)
,
Onodera Hidetoshi
(Kyoto University)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SISPAD
ページ:
327-330
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)