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著者 (6件)：
資料名：
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602256396578358
整理番号：16A0726473
垂直AlGaN高出力FETのための自発的に形成されたナノサイズバイアホールを用いたSi基板上への導電性AlNエピタキシャル層の実現【Powered by NICT】
Realization of conductive AlN epitaxial layer on Si substrate using spontaneously formed nano-size via-holes for vertical AlGaN high power FET
Kurose Noriko
(Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan)
,
Ozeki Kota
(Faculty of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan)
,
Araki Tsutomu
(Faculty of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan)
,
Iwata Naotaka
(Faculty of Engineering, Toyota Technological Institute, Japan)
,
Kamiya Itaru
(Faculty of Engineering, Toyota Technological Institute, Japan)
,
Aoyagi Yoshinobu
(Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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