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著者 (2件)：
資料名：
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602263655488161
整理番号：16A0726610
中間バンド太陽電池のための固体源分子ビームエピタクシーによるInGaPマトリックスにおけるII型InP量子ドットの成長【Powered by NICT】
Growth of Type-II InP quantum dots in InGaP matrix by using solid-source molecular beam epitaxy for intermediate-band solar cells
Sugaya Takeyoshi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
,
Tayagaki Takeshi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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