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著者 (6件)：
資料名：
巻： 2016 号： ASMC ページ： 456-459 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602270534080491
整理番号：16A0652133
RDL漏れを減少させ,剥離問題を解くための高分子表面処理:YE収量増強/学習【Powered by NICT】
Polymer surface treatment to reduce RDL leakage and solve delamination issue: YE: Yield enhancement/learning
Huang W. L.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
,
Wong J. J.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
,
Huang Danial
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
,
Chang K. P.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
,
Su H. S.
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
,
Ku Harry
(Backend Integration Development Department, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Tainan, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ASMC ページ： 456-459 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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