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J-GLOBAL ID:201602278171770685   整理番号:16A0654894

7nm Si CMOS技術とそれ以降のためのMISまたはMSソース/ドレイン接触方式評価【Powered by NICT】

MIS or MS? Source/drain contact scheme evaluation for 7nm Si CMOS technology and beyond
著者 (9件):
Yu Hao
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Schaekers Marc
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Demuynck Steven
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Barla Kathy
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Mocuta Anda
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Horiguchi Naoto
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Collaert Nadine
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
Thean Aaron Voon-Yew
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
De Meyer Kristin
(Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: IWJT  ページ: 19-24  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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