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著者 (4件)：
資料名：
巻： 2016 号： NANO ページ： 773-776 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602279430153074
整理番号：16A1319006
ポスト金属アニーリングプロセスとしてのマイクロ波アニーリングによりアリールした高k/金属ゲートMOSキャパシタの研究【Powered by NICT】
Investigation of high-k/metal gate MOS capacitors annealed by microwave annealing as a post-metal annealing process
Su Yin-Hsien
(Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University, Tainan 70155, Taiwan, R. O. C.)
,
Kuo Tai-Chen
(Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University, Tainan 70155, Taiwan, R. O. C.)
,
Lee Wen-Hsi
(Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University, Tainan 70155, Taiwan, R. O. C.)
,
Lee Yao-Ren
(National Nano Device Laboratories, Hsinchu 30010, Taiwan, R. O. C.)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： NANO ページ： 773-776 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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