文献
J-GLOBAL ID:201602279445368467
整理番号:16A1151402
ランダム電信雑音の特性化による高k/金属ゲートFinFETにおけるストレス時のプロービング欠陥発生【Powered by NICT】
Probing defects generation during stress in high-κ/metal gate FinFETs by random telegraph noise characterization
著者 (5件):
Puglisi Francesco Maria
(DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy)
,
Costantini Felipe
(DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy)
,
Kaczer Ben
(imec - Kapeldreef 75, B-3001 Leuven - Belgium)
,
Larcher Luca
(DISMI - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via Amendola 2, 42122 - Italy)
,
Pavan Paolo
(DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ESSDERC
ページ:
252-255
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)