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文献
J-GLOBAL ID:201602280144562153   整理番号:16A1273330

複合表面活性化接合(SAB)による3D集積化のための低温ウエハ接合

Combined Surface-Activated Bonding (SAB) Technology for Low-Temperature Wafer Bonding for 3D Integration
著者 (4件):
RAN He
(東大 大学院工学系研究科)
FUJINO Masahisa
(東大 大学院工学系研究科)
YAMAUCHI Akira
(ボンドテック)
SUGA Tadatomo
(東大 大学院工学系研究科)

資料名:
マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)

巻: 25th  ページ: 321-324  発行年: 2015年09月03日 
JST資料番号: X0060A  ISSN: 2434-396X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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