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資料名：
巻： 56 号： 8S2 ページ： 08MA06.1-08MA06.4 発行年： 2017年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702210228874061
整理番号：17A1810964
その場X線回折で測った微傾斜GaAs基板上で成長させたInGaAs層の歪緩和機構への基板配向の効果
Effect of substrate orientation on strain relaxation mechanisms of InGaAs layer grown on vicinal GaAs substrates measured by in situ X-ray diffraction
SUZUKI Hidetoshi
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
SASAKI Takuo
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Hyogo, JPN)
,
TAKAHASI Masamitu
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Hyogo, JPN)
,
OHSHITA Yoshio
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
KOJIMA Nobuaki
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
KAMIYA Itaru
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
FUKUYAMA Atsuhiko
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
IKARI Tetsuo
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
YAMAGUCHI Masafumi
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 8S2 ページ： 08MA06.1-08MA06.4 発行年： 2017年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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