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著者 (8件)：
資料名：
巻： 55 号： 5 ページ： 054103.1-054103.8 発行年： 2016年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702214093777311
整理番号：17A1223681
4H-SiC(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)面上の金属酸化物半導体構造のゲート電流-電圧特性の遅い応答
Slow response in gate current-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor structures on the 4H-SiC (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) face
KUMAGAI Naoki
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KUMAGAI Naoki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KIMURA Hiroshi
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA Hiroshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ONISHI Yasuhiko
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
ONISHI Yasuhiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO Mitsuo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Kenji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 5 ページ： 054103.1-054103.8 発行年： 2016年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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