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著者 (3件)：
資料名：
巻： 2017 号： SISPAD ページ： 185-188 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702218109178620
整理番号：17A1727289
PHITS TCADシミュレーションシステムによる28nm FD-SOIと22nm FinFETラッチに及ぼす中性子誘起ソフトエラー率の解析【Powered by NICT】
Analysis of neutron-induced soft error rates on 28nm FD-SOI and 22nm FinFET latches by the PHITS-TCAD simulation system
Furuta Jun
(Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
,
Umehara Shigehiro
(Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
,
Kobayashi Kazutoshi
(Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： SISPAD ページ： 185-188 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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