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著者 (5件)：
資料名：
巻： 477 ページ： 104-109 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702218431228313
整理番号：17A1557638
成長条件でのInAs-GaAs(001)表面の(n × 3)-再構成された地域の原子論的挙動【Powered by NICT】
Atomistic behaviour of ( n × 3 ) -reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition
Konishi Tomoya
(Centre for Collaborative Research, National Institute of Technology, Anan College, Anan 774-0017, Japan)
,
Tsukamoto Shiro
(Centre for Collaborative Research, National Institute of Technology, Anan College, Anan 774-0017, Japan)
,
Ito Tomonoroi
(Department of Physics Engineering, Mie University, Tsu 514-8507, Japan)
,
Akiyama Toru
(Department of Physics Engineering, Mie University, Tsu 514-8507, Japan)
,
Kaida Ryo
(Department of Physics Engineering, Mie University, Tsu 514-8507, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 477 ページ： 104-109 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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