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著者 (7件)：
資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 5.4.1-5.4.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702219099398297
整理番号：17A0214167 二次元半導体素子の第一原理シミュレーション:移動度,I-V特性および接触抵抗【Powered by NICT】
First-principles simulations of 2-D semiconductor devices: Mobility, I-V characteristics, and contact resistance
Luisier M.
(Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich))
, Szabo A.
(Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich))
, Stieger C.
(Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich))
, Klinkert C.
(Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich))
, Bruck S.
(Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich))
, Jain A.
(Photonics Laboratory (ETH Zurich), 8092 Zurich, Switzerland)
, Novotny L.
(Photonics Laboratory (ETH Zurich), 8092 Zurich, Switzerland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 5.4.1-5.4.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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