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J-GLOBAL ID:201702220038873072   整理番号:17A1557644

リンδドープした隣接閉じ込め構造を有するGe量子ドットからの発光増強【Powered by NICT】

Light emission enhancement from Ge quantum dots with phosphorous δ-doped neighboring confinement structures
著者 (6件):
Sawano K.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
Nakama T.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
Mizutani K.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
Harada N.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
Xu X.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
Maruizumi T.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 477  ページ: 131-134  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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