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著者 (3件)：
資料名：
巻： 50 ページ： 142-147 発行年： 2017年
JST資料番号： A0734B ISSN： 0141-6359 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702222080456941
整理番号：17A1456401
GaN薄膜の成長に及ぼすサファイア基板の裏面粗さの影響【Powered by NICT】
Effect of back-surface roughness of sapphire substrate on growth of GaN thin films
Aida Hideo
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, Japan)
,
Kim Seong-woo
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, Japan)
,
Suzuki Toshimasa
(Nippon Institute of Technology, 4-1 Gakuendai, Saitama 345-8501, Japan)
資料名：
Precision Engineering
(Precision Engineering)
巻： 50 ページ： 142-147 発行年： 2017年
JST資料番号： A0734B ISSN： 0141-6359 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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