文献
J-GLOBAL ID:201702222754478535
整理番号:17A0417621
IoT応用のためのサブ100μAの自己リフレッシュ電流23.3A4.8ピン2Gb LPDDR4SDRAM【Powered by NICT】
23.3 A 4.8Gb/s/pin 2Gb LPDDR4 SDRAM with sub-100μA self-refresh current for IoT applications
著者 (20件):
Kwak Nohhyup
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Kim Saeng-Hwan
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Kyong Ha
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Baek Chang-Ki
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Jang Mun Seon
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Joo Yongsuk
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Seung-Hun
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Woo Young
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Eunryeong
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Han Donghee
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Kang Jaeyeol
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lim Jung Ho
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Park Jae-Beom
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Kim Kyung-Tae
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Cho Sunki
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Han Sung Woo
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Keh Jee Yeon
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Chun Jun Hyun
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Oh Jonghoon
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Seok Hee
(SK hynix, Icheon, Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ISSCC
ページ:
392-393
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)