文献
J-GLOBAL ID:201702225054336822
整理番号:17A1273350
自動車応用のための15~80V LDMOSFETを有する90nmバルクBiCDMOSプラットフォーム技術【Powered by NICT】
A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15-80V LD-MOSFETs for automotive applications
著者 (11件):
Fujii Hiroki
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Tokumitsu Shigeo
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Mori Takahiro
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Yamashita Tomohiro
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, 312-8504, Japan)
,
Maruyama Takahiro
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Maruyama Takuya
(Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki, 312-8504, Japan)
,
Maruyama Yoshiki
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Nishimoto Shigeki
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Arie Hiroyuki
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Kubo Shunji
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
Ipposhi Takashi
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ISPSD
ページ:
73-76
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)