Sorry, this section is only available in Japanese.
前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201702225866247454   整理番号:17A0685899

GaAs上の単層MoSe2のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of monolayer MoSe2 on GaAs
著者 (9件):
ONOMITSU Koji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
KRAJEWSKA Aleksandra
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
KRAJEWSKA Aleksandra
(On leave from Univ. Edinburgh, GBR)
NEUFELD Ryan A. E.
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
NEUFELD Ryan A. E.
(On leave from Univ. Waterloo, CAN)
MAEDA Fumihiko
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
MAEDA Fumihiko
(Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
KUMAKURA Kazuhide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
YAMAMOTO Hideki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号: 11  ページ: 115501.1-115501.4  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。