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著者 (9件)：
資料名：
巻： 9 号： 11 ページ： 115501.1-115501.4 発行年： 2016年11月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702225866247454
整理番号：17A0685899
GaAs上の単層MoSe2のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of monolayer MoSe2 on GaAs
ONOMITSU Koji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KRAJEWSKA Aleksandra
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KRAJEWSKA Aleksandra
(On leave from Univ. Edinburgh, GBR)
,
NEUFELD Ryan A. E.
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
NEUFELD Ryan A. E.
(On leave from Univ. Waterloo, CAN)
,
MAEDA Fumihiko
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAEDA Fumihiko
(Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
KUMAKURA Kazuhide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAMOTO Hideki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 9 号： 11 ページ： 115501.1-115501.4 発行年： 2016年11月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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