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文献
J-GLOBAL ID:201702226036257021   整理番号:17A1348128

Ge CVDエピタキシャル成長のための原子的に制御された処理【Powered by NICT】

Atomically controlled processing for Ge CVD epitaxial growth
著者 (7件):
Murota Junichi
(Micro System Integration Center, Tohoku University, 519-1176 Aramaki aza Aoba, Aoba-ku, Sendai, 980-0845, Japan)
Yamamoto Yuji
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
Costina Ioan
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
Tillack Bernd
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
Vinh Le Thanh
(Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Cedex 09, France)
Loo Roger
(imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
Caymax Matty
(imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: ICSICT  ページ: 317-320  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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