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J-GLOBAL ID:201702227230414616   整理番号:17A0470979

とよう素化学気相輸送によるCu_2GeS_3バルク単結晶の成長【Powered by NICT】

Growth of Cu2GeS3 bulk single crystals by chemical vapor transport with iodine
著者 (4件):
Matsumoto Yusuke
(Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Aihara Naoya
(Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Saito Nobuo
(Department of Materials Science and Technology, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Tanaka Kunihiko
(Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)

資料名:
Materials Letters  (Materials Letters)

巻: 194  ページ: 16-19  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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