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資料名：
巻： 55 号： 4S ページ： 04ED07.1-04ED07.5 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702227917862770
整理番号：17A1223521
ナノワイヤSchottky障壁トンネル電界効果トランジスタのオン電流増強
ON current enhancement of nanowire Schottky barrier tunnel field effect transistors
TAKEI Kohei
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
HASHIMOTO Shuichiro
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SUN Jing
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ZHANG Xu
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ASADA Shuhei
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
XU Taiyu
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
WATANABE Takanobu
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 4S ページ： 04ED07.1-04ED07.5 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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