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著者 (5件)：
資料名：
巻： 70 ページ： 8-11 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702239589411312
整理番号：17A1465154
熱アシスト(400°C)Siシードパルスレーザアニーリングによる大単結晶Ge【Powered by NICT】
Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (400°C) Si-seeded-pulse-laser annealing
Sadoh T.
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Kurosawa M.
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
,
Heya A.
(Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan)
,
Matsuo N.
(Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan)
,
Miyao M.
(Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70 ページ： 8-11 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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