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文献
J-GLOBAL ID:201702241987111728   整理番号:17A0229889

高周波スパッタリング法により作製した4元系MgおよびAlをコドーピングしたZnO薄膜の透明導電性および広帯域ギャップ特性

Transparent Conductive and Wide Band Gap Characteristics of Quaternary Mg and Al Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by Radio Frequency Sputtering Method
著者 (7件):
JEON Ki Seok
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
SURYAWANSHI M. P.
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
KIM In Young
(Gwangju Inst. of Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
JANG Jun Sung
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
YUN Jae Ho
(Korea Inst. of Energy Res., Daejeon, KOR)
MOON Jong Ha
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
KIM Jin Hyeok
(Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)

資料名:
Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)

巻:号:ページ: 669-674  発行年: 2016年03月 
JST資料番号: W2374A  ISSN: 1947-2935  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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