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著者 (8件)：
資料名：
巻： 2016 号： IPC ページ： 540-541 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702241987547553
整理番号：17A0181116
直接結合されたInP/SiO-2/Si基板上にエピタキシャル成長させたIII-V活性層を用いた不均一集積レーザ【Powered by NICT】
Heterogeneously integrated lasers using epitaxially grown III-V active layer on directly bonded InP/SiO2/Si substrate
Fujii Takuro
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Takeda Koji
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Kanno Erina
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Hasebe Koichi
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Nishi Hidetaka
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Yamamoto Tsuyoshi
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Kakitsuka Takaaki
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
,
Matsuo Shinji
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation, 3-1, Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0198, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IPC ページ： 540-541 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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