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著者 (19件)：
資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 27.2.1-27.2.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702244261331165
整理番号：17A0214305
28nm論理に埋め込まれた高機能で信頼性のある8Mb STT-MRAM【Powered by NICT】
Highly functional and reliable 8Mb STT-MRAM embedded in 28nm logic
Song Y. J.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Lee J. H.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Shin H. C.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Lee K. H.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Suh K.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Kang J. R.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Pyo S. S.
(S. LSI division, Samsung Electronic Corp, Kiheung, Korea)
,
Jung H. T.
(S. LSI division, Samsung Electronic Corp, Kiheung, Korea)
,
Hwang S. H.
(S. LSI division, Samsung Electronic Corp, Kiheung, Korea)
,
Koh G. H.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Oh S. C.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Park S. O.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Kim J. K.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Park J. C.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Kim J.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Hwang K. H.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Jeong G. T.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Lee K. P.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
,
Jung E. S.
(R&D Center, Samsung Electronic Corp, Hwasung, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 27.2.1-27.2.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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