文献
J-GLOBAL ID:201702247620178489
整理番号:17A0057827
超しきい値と近/サブしきい値応用のためのモノリシック3D MoS_2n/WSe_2p SRAMセルの安定性最適化【Powered by NICT】
Stability optimization of monolithic 3-D MoS2-n/WSe2-p SRAM cells for superthreshold and near-/sub-threshold applications
著者 (3件):
Yu Chang-Hung
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Su Pin
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chuang Ching-Te
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
S3S
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)