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資料名：
巻： 49 号： 39 ページ： 393001,1-19 発行年： 2016年10月05日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702247625222233
整理番号：17A0633179
GaNパワートランジスタのための絶縁ゲートと表面不動態化構造
Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors
YATABE Zenji
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
ASUBAR Joel T
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 49 号： 39 ページ： 393001,1-19 発行年： 2016年10月05日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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