文献
J-GLOBAL ID:201702247930812072
整理番号:17A1270491
SOTB(薄い埋め込み酸化膜上のシリコン):IoTと自動車のためのMoore技術以上のもの【Powered by NICT】
SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide): More than Moore technology for IoT and Automotive
著者 (6件):
Hasegawa Takumi
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Yamamoto Yoshiki
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Makiyama Hideki
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Shinkawata Hiroki
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Kamohara Shiro
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
,
Yamaguchi Yasuo
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, 187-8588, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICICDT
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)