文献
J-GLOBAL ID:201702255073366473
整理番号:17A1221147
GaP(001)上のGa液滴を用いたGaAsNSe膜の有機金属分子線エピタキシー
Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)
著者 (7件):
SHIMOMURA Yuki
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
IGARASHI Yosuke
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
KIMURA Shinji
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
SUZUKI Yuhei
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
TADA Yoshihiro
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
FUKUDA Hisashi
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
UESUGI Katsuhiro
(Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
8S1
ページ:
08NB19.1-08NB19.4
発行年:
2016年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)