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著者 (6件)：
資料名：
巻： 67 号： 10 ページ： 4356-4362 発行年： 2016年
JST資料番号： E0215B ISSN： 0438-1157 CODEN： HUKHAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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文献
J-GLOBAL ID：201702257106082204
整理番号：17A0063599
光化学的エッチング法によるSIC基板のエピタキシャル層の除去とそのキャラクタリゼーションを行った。【JST・京大機械翻訳】
Photo-electrochemical removal of graphene buffer layer on SiC substrate
Sun Li
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
,
Chen Xiufang
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
,
Zhang Fusheng
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
,
Yu Cancan
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
,
Zhao Xian
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
,
Xu Xiangang
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
資料名：
Huagong Xuebao
(Huagong Xuebao)
巻： 67 号： 10 ページ： 4356-4362 発行年： 2016年
JST資料番号： E0215B ISSN： 0438-1157 CODEN： HUKHAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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