文献
J-GLOBAL ID:201702257208412593
整理番号:17A1036876
室温での表面活性化ボンディングにより作製したSi/GaAs界面の平面透過型電子顕微鏡観察【Powered by NICT】
Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
著者 (5件):
Ohno Yutaka
(Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba, Sendai 980-8577, Japan)
,
Yoshida Hideto
(The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
,
Takeda Seiji
(The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, Mihogaoka 8-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
,
Jianbo Liang
(Graduate School of Engineering, Osaka-City University, Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
,
Shigekawa Naoteru
(Graduate School of Engineering, Osaka-City University, Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
LTB-3D
ページ:
4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)