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著者 (4件)：
資料名：
巻： 58 号： 4 ページ： 688-691(J-STAGE) 発行年： 2017年
JST資料番号： G0668A ISSN： 1345-9678 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702257238612310
整理番号：17A0658471
塩化アンモニウムを用いた塩素化プロセスによるGaN半導体からのガリウムの高温冶金回収
Pyrometallurgical Recovery of Gallium from GaN Semiconductor through Chlorination Process Utilizing Ammonium Chloride
Nishinaka Kazuki
(Department of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
,
Terakado Osamu
(Department of Material and Environmental Engineering, National Institute of Technology, Hakodate College)
,
Tani Haruki
(Department of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
,
Hirasawa Masahiro
(Department of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
資料名：
Materials Transactions
(Materials Transactions)
巻： 58 号： 4 ページ： 688-691(J-STAGE) 発行年： 2017年
JST資料番号： G0668A ISSN： 1345-9678 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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