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著者 (4件)：
資料名：
巻： 63 号： 12 ページ： 4591-4602 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702260891354476
整理番号：17A0085343
SiGe HBTのベース抵抗を測定する単一トランジスタに基づく方法:種々の技術のレビューと評価
Single Transistor-Based Methods for Determining the Base Resistance in SiGe HBTs: Review and Evaluation Across Different Technologies
Pawlak Andreas
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
,
Krause Julia
(Infineon Technologies AG, Neubiberg, Germany)
,
Wittkopf Holger
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
,
Schroter Michael
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 12 ページ： 4591-4602 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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