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著者 (6件)：
資料名：
巻： E99.C 号： 12 ページ： 1304-1311(J-STAGE) 発行年： 2016年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702260908412512
整理番号：17A0223278
高速動作用の標準0.18μm CMOSプロセスにより製作したシリコンアバランシェフォトダイオードの特性評価
Characterizing Silicon Avalanche Photodiode Fabricated by Standard 0.18μm CMOS Process for High-Speed Operation
NAPIAH Zul Atfyi Fauzan Mohammed
(Faculty of Electronic and Computer Engineering, Universiti Teknikal Malaysia Melaka (UTeM))
,
NAPIAH Zul Atfyi Fauzan Mohammed
(School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University)
,
GYOBU Ryoichi
(School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University)
,
HISHIKI Takuya
(School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University)
,
MARUYAMA Takeo
(School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University)
,
IIYAMA Koichi
(School of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E99.C 号： 12 ページ： 1304-1311(J-STAGE) 発行年： 2016年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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