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J-GLOBAL ID:201702262615640944   整理番号:17A1544977

インバータ応用における次世代IGBTにより導入されたシュート-スルー現象のモデル化【Powered by NICT】

Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications
著者 (6件):
Abe S.
(Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
Hasegawa K.
(Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
Tsukuda M.
(Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
Wada K.
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan)
Omura I.
(Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
Ninomiya T.
(Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 76-77  ページ: 465-469  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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