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J-GLOBAL ID：201702264493826653 整理番号：17A1465162

基板加熱無しでのECR ArプラズマCVDにより形成されたSi/SiGe Alloy/Si(100)ヘテロ構造の電子的性質【Powered by NICT】

Electronic properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) heterostructures formed by ECR Ar plasma CVD without substrate heating

著者 (5件)：

Ueno Naofumi

(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)

,

Sakuraba Masao

(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)

,

Osakabe Yoshihiro

(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)

,

Akima Hisanao

(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)

,

Sato Shigeo

(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)

資料名：

Materials Science in Semiconductor Processing (Materials Science in Semiconductor Processing)

巻： 70 ページ： 55-62 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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