文献
J-GLOBAL ID:201702267507742936
整理番号:17A1727295
グラフェンにおける電子移動度に及ぼす歪の影響【Powered by NICT】
Effect of strain on electron mobility in graphene
著者 (3件):
Hirai Hideki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan)
,
Ogawa Matsuto
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan)
,
Souma Satofumi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Kobe University, Kobe 657-8501, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
209-212
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)