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資料名：
巻： 55 号： 4S ページ： 04EJ01.1-04EJ01.4 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702270492949935
整理番号：17A1223582
III族原料流量変調エピタクシーにより育成したヒロックのない滑らかな表面をもつN面GaN(000-1)膜
N-face GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) films with hillock-free smooth surfaces grown by group-III-source flow-rate modulation epitaxy
LIN Chia-Hung
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
AKASAKA Tetsuya
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAMOTO Hideki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 4S ページ： 04EJ01.1-04EJ01.4 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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