文献
J-GLOBAL ID:201702270935253963
整理番号:17A0181409
GaAsH EMTの高出力マイクロ波損傷効果のシミュレーション研究【Powered by NICT】
Simulation study of high power microwave damage effect on GaAs HEMT
著者 (4件):
Xue Peiwen
(Space Payload System Innovation Center, China Academy of Space Technology (Xi’an), Xi’an, China)
,
Fang Jinyong
(Space Payload System Innovation Center, China Academy of Space Technology (Xi’an), Xi’an, China)
,
Li Zhipeng
(Space Payload System Innovation Center, China Academy of Space Technology (Xi’an), Xi’an, China)
,
Sun Jing
(Space Payload System Innovation Center, China Academy of Space Technology (Xi’an), Xi’an, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ISAPE
ページ:
636-639
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)