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資料名：
巻： 56 号： 10S ページ： 10PF06.1-10PF06.4 発行年： 2017年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702272084421113
整理番号：17A1811201
強誘電性ビニリデントリフルオロエチレンゲート絶縁体を有するホウ素ドープダイヤモンド電界効果トランジスタ
B-doped diamond field-effect transistor with ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene gate insulator
KARAYA Ryota
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
BABA Ikki
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
MORI Yosuke
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
MATSUMOTO Tsubasa
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
NAKAJIMA Takashi
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
TOKUDA Norio
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KAWAE Takeshi
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 10S ページ： 10PF06.1-10PF06.4 発行年： 2017年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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