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J-GLOBAL ID:201702272778947671   整理番号:17A0470077

陰極界面からの水素移動によるゲート誘電体劣化の機構【Powered by NICT】

Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface
著者 (12件):
Higashi Yusuke
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
Higashi Yusuke
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
Takaishi Riichiro
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
Kato Koichi
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
Suzuki Masamichi
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
Nakasaki Yasushi
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
Tomita Mitsuhiro
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
Mitani Yuichiro
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
Matsumoto Masuaki
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
Ogura Shohei
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
Fukutani Katsuyuki
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
Yamabe Kikuo
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 70  ページ: 12-21  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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