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著者 (9件)：
資料名：
巻： 132 ページ： 103-108 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702275047785299
整理番号：17A1181751
寄生抵抗とその変動に及ぼすFinFETにおける拡張イオン注入により生じた残留欠陥の影響【Powered by NICT】
Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation
Matsukawa Takashi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Liu Yongxun
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Mori Takahiro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Morita Yukinori
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Otsuka Shintaro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
O’uchi Shin-ichi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Fuketa Hiroshi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Migita Shinji
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Masahara Meishoku
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 132 ページ： 103-108 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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